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교육전문신문 <베리타스 알파>  2017년 07월 06일에 실린 기사 발췌

출처: http://www.veritas-a.com/news/articleView.html?idxno=88463


[베리타스알파=김하연 기자] 성균관대는 물리학과 정동근 교수연구팀의 '기계적 고강도 플라즈마 저유전상수 박막 및 그 제조방법' 특허를 국내 대기업에 기술 이전했다고 6일 밝혔다.

특허 내용은 외부 회로와의 연결을 위한 반도체 배선 공정에서 배선 간 절연 물질로 이용되는 초저유전 상수 물질을 기존의 전구체와는 다른 구조를 가진 전구체를 이용하여 기계적 강도는 우수하면서도 좀 더 낮은 유전상수를 갖는 박막을 개발 한 것이다.

반도체 공정에서 일반적으로 사용되는 배선 간에 절연물질로 'SiO2'가 이용되는데 유전상수는 4.0 수준이다. 이를 3.0 정도로 낮추게 되면 신호의 딜레이가 25%정도 감소하는 것으로 알려져 있다. 연구팀이 연구하는 SiOCH 박막은 2.0 초반 수준까지 도달해 있다.

반도체 공정에서 요구하는 기본적인 기계적 강도를 만족하면서도 낮은 유전상수를 갖는 소재의 개발은 매우 난해한 기술로 연구팀의 기술은 나날이 세밀해져가는 반도체 공정에서 증가 할 수밖에 없는 신호 딜레이를 개선, 반도체 소자의 성능향상에 이바지 할 것으로 기대됐다.


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