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아래와 같이 콜로퀴움을 개최하오니 많이 참석해 주시기 바랍니다. 4시 20분부터 2층 라운지세미나실에 다과를 준비하오니 많은 참석 부탁드립니다 아 래 제목: Nano Structure of wide Band Gap Semiconductors 연사: 강 태 원 교수 (동국대학교 물리학과, 양자기능반도체연구센터) 일시: 2010년 3월 12일(금) 오후4:30 장소: 물리학과 세미나실(31355호실) 초록: IT의 급속한 발전에 따라 반도체 재료 및 소자 구조도 급격히 발전해 가고 있다. 그러나 전기소자의 경우 집적도를 증가시키는데에 한계가 보이고 광소자의 경우 GaN를 이용하여 Blue LED를 제작 활용하고 있으나 더 많은 응용성이 요구되고 있다. 이에 본 QSRC에서는 우선 반도체의 Dipole moment를 poling 시킴에 따라 저항이 달라짐을 알았고 더욱이 이들을 이용하여 Non-volatile memory 소자로 활용할 수 있음을 밝혔다. 이것은 Spin 을 이용한 소위 Spintronics 소자보다 더 안정적이고 응용성이 많이 있을 것으로 예상된다. 나아가서 일반적으로 Memory 소자에서 꼭 필요한 1Tr+1C 구조에서 Tr 를 생략하고 더욱이 1C 대신 IR로 동작하는 구조를 제안하였다. 이것의 또 다른 장점은 3단자 소자를 2단자 구조로 만들수 있어서 더 높은 집적 소자로 활용할 수 있을 것으로 예상된다. 또 Spintronics 연구도 병행하였는바 Spintronics에서 Spin injection 등의 문제점을 해결하고자 Diluted Magnetic Semiconductor(DMS)를 제안하고 있으나 이들 물질도 Curie Temperature, Spin polarization, Spin injection 등에 문제가 있다. 이에 본 QSRC에서는 Curie Temperature를 상온 이상에서 동작되도록 구조를 연구하여 DMS 물질을 quantum dot 이나 wire로 만들면 이를 해결할 수 있음을 알았고 Spin polarization과 injection 문제를 해결하기 위해 Zero band gap 물질을 제안하였다. GaN와 ZnO 물질은 광소자 특히 Blue LED를 제작하는데 필요한 물질로 알려졌지만 대부분의 I.P.를 Nichia에서 가지고 있어서 본 QSRC에서는 이들 GaN와 ZnO의 Nano structure를 이용하여 Blue LED를 구현할 수 있음을 밝혔고 나아가서 doping이 없이 frequency modulation으로 full color display를 구현하였으며 이들을 이용하여 Solid State Lighting 을 제작하였다. 최종적으로는 FES와 FMS 그리고 Nano structure를 결합하여 Multi-ferroic device를 제안하였다.
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107 <Oct. 14(Wed.) 4:30 PM> 국방과학기술과 물리학 2015.10.07 66263
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101 <10/30> 광섬유 센서 2013.10.17 64694
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93 <Oct. 5(Wed.) 4:30 PM> 국제원자력기구 (IAEA)와 핵데이터 2016.09.22 62643
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91 <3/11(수) 오후4시:30분> 테크노-이매지네이션(Techno-imagination) 2015.03.04 62272
90 <Nov. 23(Wed.) 4:30 PM> Dry (Plasma) etch process in Semiconductor Device 2016.11.16 62160