아래와 같이 콜로퀴움을 개최하오니 많이 참석해 주시기 바랍니다. 4시부터 2층 라운지세미나실에 다과를 준비하오니 많은 참석 부탁드립니다 아 래 1. 제 목 : 차세대 전자 소자용 산화물 반도체 박막의 개발 2. 연 사 : 박 배 호 교수 (건국대학교) 3. 일 시 : 2007년 3월 23일(금요일) 오후 4:30 4. 장 소 : 물리학과 세미나실(31355호실) 5. 초 록 : 산화물 반도체 박막은 조성에 따라 다양한 전도 특성을 가지고 있어 지난 수십년간 많은 연구가 이루어져 왔고, 최근들어 그 전도 특성이 기존의 반도체 물질의 한계를 극복하는 실험적 사례들이 보고 되고 있어 차세대 전자 소자용으로 개발될 가능성이 큰 것으로 예측되고 있다. 특히, 외부 전압에 의해서 전도성 이 변화하는 현상이 많은 산화물 박막에서 발견되고 있으며, 이러한 전도성 전이 특성은 외부 전압이 끊어져 도 유지되는 비휘발성을 가지고 있다. 따라서, 전도성 전이 특성을 가지는 산화물 반도체 박막을 이용하는 차 세대 고집적, 고속 비휘발성 정보저장 소자인 resistance random access memory (RRAM)이나 nano- storage device 개발에 많은 관심이 집중되고 있다. 특히, 미국의 IBM이나 일본의 Sharp 사에서는 2000년대 초반부터 집중적으로 RRAM에 대한 연구 개발을 시작한 상태이다. 건국대학교 물리학과에서도 2003년초부 터 RRAM용 및 nano-stroage device용 전도성 전이 산화물 박막을 개발해 오고 있으며, 본 발표에서는 전도 성 전이 산화물 박막에서의 중요한 물질적 issue와 최근의 연구 결과에 대해서 소개하고자 한다.