아래와 같이 콜로퀴움을 개최하오니 많이 참석해 주시기 바랍니다. 4시부터 2층 라운지세미나실에 다과를 준비하오니 많은 참석 부탁드립니다 아 래 1. 제 목: Nanoscale Physics related to Resistance Switchings &Its Applications to Resistance RAM 2. 연 사: 노 태 원 교수(서울대 물리천문학부) 3. 일 시: 2008년 3월 28일(금) 오후4:30 4. 장 소: 물리학과세미나실(31355호실) 5. 초 록: 최첨단 메모리를 개발하기 위한 노력은 많은 주목을 받아 왔다. 최근에 들어서는 전기저 항 스위칭 현상을 이용한 resistance random access memery (RRAM)에 대한 많은 관심이 집중되 고 있다. 외부의 전압에 따라 저항의 값이 변화하는 전기저항 스위칭 현상은 이미 1960년대부터 발 견되어 한동안 많은 연구들이 진행 되었다가, 최근에 들어 다시 새로운 주목을 받기 시작하였다. 그 러나 왜 이러한 전기저항 스위칭 현상이 일어나는 지에 대한 기본 메커니즘이나 이를 지배하는 물리 량이 무엇인지에 대하여는 만족할만한 이해가 있지 않았다. 이 강연에서는 산화물 박막에서 일어나는 다양한 전기저항 스위칭 현상에 대한 현재까지 의 연구를 소개하고, 이를 바탕으로 전기저항 스위칭 현상의 기본 메커니즘을 찾고자 하는 본 연구 단의 노력을 소개하고자 한다. 특히 다양한 물리량의 측정, 통계역학적 시뮬레이션을 통하여, 전기 저항 스위칭 현상과 관련되어 어떠한 물리 현상이 나노 영역에서 일어나는 지에 대한 우리의 이해 를 높이고자 한다. 아래를 클릭하여서 강의자료를 다운받으세요. http://physics.skku.ac.kr/ppt/0328.ppt