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이번 학기 콜로퀴움은 코로나19 오미크론 변이 급속 확산 및 정부 지침에 따라 온-오프 하이브리드(오프라인+Real Time Streaming)으로 운영될 예정입니다.

일곱번째 강연에는 한국외국어대학교의 정창욱 교수님을 모시고 콜로퀴움을 개최하오니, 학과 구성원 여러분의 많은 참여를 부탁 드립니다.

코로나19 확산방지를 위해 다과는 제공하지 않습니다.


                                       아            래


1. Title: I) A few first questions by me. 

                A battle between Han SeokBong(한석봉) and his mother 

                Significant figures(유효숫자) 

                I = ―dQ/dt? 

            II) ‘Topotactic resistance switching RAM’의 최초 발견


2. Speaker: 정  창  욱  교수님 (한국외국어대학교 (전자)물리학과)


3. Date & Time: Apr. 27(Wed.) 2022.  4:30 PM

 
4. Place: Natural Science 1,  Room No. 31214


5. Abstract: 물리학자의 가장 강력한 무기중에 의심이 있습니다. 지동설은 이러한 의심에서 나왔습니다. 한석봉과 어머니의 유명한 시합?이후 300년이 지나서 (저는) 처음으로 이 시합에 대해서 물리적으로 의문을 던져 보았습니다. 일반물리교과서 1장에 나온 유효숫자 처리의 thumb rule(3자리 숫자와 3자리 숫자의 곱의 결과는 반올림해서 3자리로 만든다.)은 어느 정도의 신빙성이 있을까요? I=dQ/dt를 맹목적으로 믿고 사용해도 될까요? 

  Resistance switching RAM 소자는 집적도, 속도, 저전력 구동면에서 차세대 메모리라고 여겨졌습니다. 많은 물질에서 저항스위칭이 발견되었고 다양한 메커니즘이 발표되었습니다. 하지만 스위칭변수의 넓은 분포 등 재현성에 대한 치명적인 약점도 보여서 연구분야 전체가 크게 축소되어 버리고 말았습니다. 우리는 새로운 질문과 새로운 전략을 바탕으로 새로운 종류, 즉 topotactic resistance switching RAM을 발견할 수 있었습니다. 

참고1) 한석봉과 물리(TvN 방영)과 연사의 과학유튜브 채널

https://www.youtube.com/watch?v=YygnVtMMmKQ

https://www.youtube.com/channel/UC2unTKIaWzCz1Mg4GPiMihA

Refernce): Papers and patents of CU Jung on Sr(Fe,Co)Ox, topotactic ReRAM 

Adv Mater (2013), 25, p3651/ Appl. Phys. Lett. (2014), 105, p063507./ACS Appl. Mater. Interfaces (2016), 8, p7902/ Nanoscale, (2017), 9, 10502/ Scientific Report, 9:1188  (2019)/ Adv. Mat. 1903391 (2019). ACS Applied Materials & Interfaces 12 (37), 41740 (2020).

1. Korean Patent (제 10-1537396) (2015) 

Memory Device for Resistance Switching Using Materials Having a Brownmillerite Structure 

2. Korean Patent  (제 10-2048120) (2019)

스위칭 소자, 비휘발성 메모리소자 및 이의 제조방법

3.  Korean Patent  (제 10-1943710) (2019)

가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 

4. USA Patent (10,886,466) rigistered on 2021-01-05 

Variable resistor, Non-volatile memory elements using the same, and method of fabricating the same

가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법

5. 중앙일보: 2019 0905  https://news.joins.com/article/23571537

조선일보: 2019 0905

http://news.chosun.com/site/data/html_dir/2019/09/05/2019090501959.html?utm_source=naver&utm_medium=original&utm_campaign=news

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